Tranzystor IGBT FF600R12KF4

Urządzenie używane z odzysku. Obudowa posiada zarysowania ,otarcia oraz zabrudzenia.

Urządzenie nietestowane technicznie , nieuruchamiane. Zdemontowane ze sprawnego urządzenia przemysłowego.

Opakowanie zastępcze.

Brak instrukcji obsługi

Tranzystor IGBT FF600R12KF4

w zestawie

• Tranzystor  FF600R12KF4 x1szt.

• podwójny tranzystor IGBT FF600R
• Napięcie: 1.2kV - 1200V x2 (dwa niezależne tranzystory w jednej obudowie)
• Prąd: 600A x 2 (dwa niezależne tranzystory w jednej obudowie)

• Prąd w impulsie maks. 1200A
• Temperatura pracy: -40...150°C

Jest to komponent elektroniczny wykorzystywany w układach inwerterów do przekształcania energii elektrycznej, zwłaszcza w aplikacjach wymagających kontrolowania dużych prądów i napięć. Oto kluczowe informacje dotyczące tego modułu:

Opis modułu:

• Moduł ma rozmiar 62 mm i należy do serii C.
• Ten moduł zawiera 2 elementy: tranzystor IGBT i diodę, co jest często spotykane w aplikacjach inwerterów.

Tranzystor IGBT:

• Maksymalne napięcie zwrotne kolektor-emiter wynosi 1200V.
• Maksymalny prąd stały wynosi 600A.
• Maksymalny prąd zwrotny kolektor-emiter to 5 mA.
• Maksymalny prąd wycieku bramka-emiter to 400 nA.
• Czas opóźnienia włączania (przy obciążeniu indukcyjnym) wynosi około 0.170 µs przy temperaturze 25 °C.
• Czas narastania (przy obciążeniu indukcyjnym) wynosi około 0.046 µs przy temperaturze 25 °C.
• Czas opóźnienia wyłączania (przy obciążeniu indukcyjnym) wynosi około 0.400 µs przy temperaturze 25 °C.
• Czas spadku (przy obciążeniu indukcyjnym) wynosi około 0.070 µs przy temperaturze 25 °C.

Dioda:

• Maksymalne napięcie zwrotne diody wynosi 1200V.
• Maksymalny prąd stały wynosi 600A.
• Maksymalny prąd zwrotny to 535A przy temperaturze 25 °C.
• Maksymalny ładunek odzyskany wynosi 50.5 µC przy temperaturze 25 °C.
• Energia odzyskiwana podczas zwrotu wynosi 27 mJ przy temperaturze 25 °C.

Parametry termiczne:

• Opór cieplny od złącza do obudowy tranzystora IGBT wynosi około 0.0460 K/W.
• Opór cieplny od obudowy do radiatora tranzystora IGBT wynosi około 0.0226 K/W.
• Temperatura podczas pracy może być w zakresie od -40°C do 150°C.

Te parametry są istotne przy projektowaniu i stosowaniu tego modułu w różnych aplikacjach, szczególnie w zastosowaniach, które wymagają zarówno tranzystora IGBT, jak i diody. Ostateczny projekt i wykorzystanie będą zależały od specyficznych wymagań aplikacji.