ТРАНЗИСТОР 10N60 N-канальный 10А 600В 115Вт FQP10N60C

TRANZYSTOR 10N60 N-channel 10A 600V 115W FQP10N60C

10N60 N-channel 10A 600V 115W FQP10N60C TRANZYSTOR

• Typ tranzystora: N-MOSFET. Jest to tranzystor unipolarny, co oznacza, że prąd płynie tylko w jednym kierunku - od drenu do źródła - gdy odpowiednie napięcie jest podane na bramkę.
• Polaryzacja: Unipolarna. Oznacza to, że tranzystor działa na podstawie jednego typu nośnika ładunku (elektronów).
• Napięcie dren-źródło: Maksymalne napięcie, które tranzystor może obsłużyć między drenem a źródłem, wynosi 600V. Przekroczenie tego napięcia może prowadzić do uszkodzenia tranzystora.
• Prąd drenu: Maksymalny prąd, który może płynąć przez tranzystor, wynosi 10A. Przekroczenie tej wartości może prowadzić do uszkodzenia tranzystora.
• Obudowa: Tranzystor ma obudowę typu TO220. TO220 to popularny standardowy pakiet obudowy tranzystora, który zapewnia odpowiednie chłodzenie i jest wygodny w montażu.
• Napięcie bramka-źródło: Napięcie, które może być zastosowane między bramką a źródłem tranzystora, wynosi ±30V.
• Rezystancja w stanie przewodzenia: Rezystancja tranzystora w stanie przewodzenia wynosi 750mΩ. Jest to opór, jaki tranzystor oferuje dla przepływającego prądu w stanie włączonym.
• Montaż: Tranzystor jest przeznaczony do montażu THT (Through-Hole Technology), co oznacza, że może być montowany tradycyjnymi metodami przewlekłymi.
• Ładunek bramki: Ładunek bramki wynosi 31.1nC. Oznacza to ilość ładunku potrzebną do włączenia lub wyłączenia tranzystora.

Zachęcamy do zapoznania się z naszymi innymi atrakcyjnymi ofertami! Oferujemy szeroki wybór wysokiej jakości produktów, które mogą spełnić różnorodne potrzeby.

Dziękujemy za zainteresowanie naszymi produktami i czekamy na Twoją kolejną wizytę!