ТРАНЗИСТОР IRF3205 N-канальный МОП-транзистор 110А 55В 200Вт

Товар

734  ₽
ТРАНЗИСТОР IRF3205 N-канальный МОП-транзистор 110А 55В 200Вт

Доставка

  • Почта России

    1400 ₽

  • Курьерская доставка EMS

    1752 ₽

Характеристики

Артикул
13341131735
Состояние
Новый
Producent
IR
SMD
nie
Symbol
IRF3710
Moc
200 W
Napięcie
100 V
Prąd
57 A
Waga produktu z opakowaniem jednostkowym
0.01 kg
Kod producenta
IRF3710
Stan opakowania
oryginalne

Описание

TRANZYSTOR IRF3205 N-Channel MOSFET 110A 55V 200W

Z radością przedstawiamy naszą ofertę tranzystora MOSFET N-MOSFET z rodziny HEXFET. Tranzystor ten, produkowany przez renomowanego producenta Infineon (IRF), charakteryzuje się doskonałą wydajnością i niezawodnością. Idealnie nadaje się do szerokiego zakresu zastosowań, w których wymagane jest przewodzenie dużych prądów.

Oto dane techniczne tranzystora:

  • Producent: Infineon (IRF). Nasz tranzystor pochodzi od uznanej firmy Infineon, która jest znana ze swojego zaangażowania w dostarczanie wysokiej jakości komponentów elektronicznych.
  • Typ tranzystora: N-MOSFET. Tranzystor jest typu N-MOSFET, co oznacza, że posiada warstwę n-type między drenem a źródłem.
  • Polaryzacja: unipolarny. Tranzystor jest polaryzowany unipolarnie, co oznacza, że sterowanie bramką odbywa się tylko na jednym typie nośników.
  • Rodzaj tranzystora: HEXFET. Tranzystor należy do rodziny HEXFET, która jest znana z doskonałej wydajności i niskiej rezystancji w stanie przewodzenia.
  • Napięcie dren-źródło: 55V. Tranzystor jest przystosowany do pracy przy napięciu dren-źródło o maksymalnej wartości 55V, co pozwala na zastosowanie go w różnorodnych układach elektronicznych.
  • Prąd drenu: 98A. Tranzystor ma zdolność przewodzenia prądu drenu o wartości maksymalnej 98A, co czyni go idealnym rozwiązaniem dla aplikacji wymagających przewodzenia dużych prądów.
  • Moc: 200W. Tranzystor ma moc obliczeniową wynoszącą 200W, co pozwala na skuteczne zarządzanie energią w układach elektronicznych.
TRANZYSTOR IRF3205 N-Channel MOSFET 110A 55V 200W Kod producenta IRF3710
TRANZYSTOR IRF3205 N-Channel MOSFET 110A 55V 200W
  • Obudowa: TO220AB. Tranzystor jest dostępny w obudowie typu TO220AB, która zapewnia łatwy montaż i skuteczne odprowadzanie ciepła.
  • Napięcie bramka-źródło: 20V. Tranzystor jest zaprojektowany do pracy przy napięciu bramka-źródło o maksymalnej wartości 20V, co umożliwia łatwe sterowanie tranzystorem.
  • Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ. Tranzystor charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia, co pozwala na minimalizację strat mocy.
  • Rezystancja termiczna złącze-obudowa: 1K/W.

Zachęcamy do zapoznania się z naszymi innymi atrakcyjnymi ofertami! Oferujemy szeroki wybór wysokiej jakości produktów, które mogą spełnić różnorodne potrzeby.

Dziękujemy za zainteresowanie naszymi produktami i czekamy na Twoją kolejną wizytę!

Гарантии

  • Гарантии

    Мы работаем по договору оферты и предоставляем все необходимые документы.

  • Лёгкий возврат

    Если товар не подошёл или не соответсвует описанию, мы поможем вернуть его.

  • Безопасная оплата

    Банковской картой, электронными деньгами, наличными в офисе или на расчётный счёт.

Отзывы о товаре

Рейтинг товара 5 / 5

35 отзывов

Russian English Polish