ТРАНЗИСТОР IRF3205 N-канальный МОП-транзистор 110А 55В 200Вт
Товар
- 4 раза купили
- 5 оценка
- 473 осталось
- 35 отзывов
Доставка
Характеристики
Описание
TRANZYSTOR IRF3205 N-Channel MOSFET 110A 55V 200W
Z radością przedstawiamy naszą ofertę tranzystora MOSFET N-MOSFET z rodziny HEXFET. Tranzystor ten, produkowany przez renomowanego producenta Infineon (IRF), charakteryzuje się doskonałą wydajnością i niezawodnością. Idealnie nadaje się do szerokiego zakresu zastosowań, w których wymagane jest przewodzenie dużych prądów.
Oto dane techniczne tranzystora:
- Producent: Infineon (IRF). Nasz tranzystor pochodzi od uznanej firmy Infineon, która jest znana ze swojego zaangażowania w dostarczanie wysokiej jakości komponentów elektronicznych.
- Typ tranzystora: N-MOSFET. Tranzystor jest typu N-MOSFET, co oznacza, że posiada warstwę n-type między drenem a źródłem.
- Polaryzacja: unipolarny. Tranzystor jest polaryzowany unipolarnie, co oznacza, że sterowanie bramką odbywa się tylko na jednym typie nośników.
- Rodzaj tranzystora: HEXFET. Tranzystor należy do rodziny HEXFET, która jest znana z doskonałej wydajności i niskiej rezystancji w stanie przewodzenia.
- Napięcie dren-źródło: 55V. Tranzystor jest przystosowany do pracy przy napięciu dren-źródło o maksymalnej wartości 55V, co pozwala na zastosowanie go w różnorodnych układach elektronicznych.
- Prąd drenu: 98A. Tranzystor ma zdolność przewodzenia prądu drenu o wartości maksymalnej 98A, co czyni go idealnym rozwiązaniem dla aplikacji wymagających przewodzenia dużych prądów.
- Moc: 200W. Tranzystor ma moc obliczeniową wynoszącą 200W, co pozwala na skuteczne zarządzanie energią w układach elektronicznych.
- Obudowa: TO220AB. Tranzystor jest dostępny w obudowie typu TO220AB, która zapewnia łatwy montaż i skuteczne odprowadzanie ciepła.
- Napięcie bramka-źródło: 20V. Tranzystor jest zaprojektowany do pracy przy napięciu bramka-źródło o maksymalnej wartości 20V, co umożliwia łatwe sterowanie tranzystorem.
- Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ. Tranzystor charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia, co pozwala na minimalizację strat mocy.
- Rezystancja termiczna złącze-obudowa: 1K/W.
Zachęcamy do zapoznania się z naszymi innymi atrakcyjnymi ofertami! Oferujemy szeroki wybór wysokiej jakości produktów, które mogą spełnić różnorodne potrzeby.
Dziękujemy za zainteresowanie naszymi produktami i czekamy na Twoją kolejną wizytę!
Гарантии
Гарантии
Мы работаем по договору оферты и предоставляем все необходимые документы.
Лёгкий возврат
Если товар не подошёл или не соответсвует описанию, мы поможем вернуть его.
Безопасная оплата
Банковской картой, электронными деньгами, наличными в офисе или на расчётный счёт.