ТРАНЗИСТОР IRF540 N-канальный МОП-транзистор 33А 100В TO220

TRANZYSTOR IRF540 N-Channel MOSFET 33A 100V TO220

IRF540 N-Channel MOSFET 33A 100V TO220 TRANZYSTOR

• Producent Infineon (IRF)
• Typ tranzystora N-MOSFET
• Polaryzacja unipolarny
• Rodzaj tranzystora HEXFET
• Napięcie dren-źródło 100V
• Prąd drenu 33A
• Moc 140W
• Obudowa TO220AB
• Napięcie bramka-źródło 20V
• Rezystancja w stanie przewodzenia 44mΩ
• Rezystancja termiczna złącze-obudowa 1.1K/W
• Montaż THT
• Ładunek bramki 47.3nC

IRF540 jest tranzystorem z rodzaju HEXFET, co oznacza, że posiada strukturę złącza optymalizowaną pod kątem wysokiej wydajności w aplikacjach z wysokim napięciem i prądem.

Napięcie dren-źródło tego tranzystora wynosi 100V, co oznacza, że może pracować przy napięciu zasilania do 100V. Prąd drenu, czyli prąd płynący przez tranzystor w stanie przewodzenia, wynosi aż 33A. Oznacza to, że tranzystor może obsłużyć duże prądy płynące przez niego.

Moc tranzystora wynosi 140W, co oznacza, że może pracować w aplikacjach wymagających dużej mocy. Obudowa tranzystora to TO220AB, co jest popularnym standardem w przypadku tranzystorów mocy.

Napięcie bramka-źródło tranzystora wynosi 20V, co oznacza, że napięcie zastosowane na bramce względem źródła nie może przekraczać 20V.

Tranzystor ma rezystancję w stanie przewodzenia wynoszącą 44mΩ. Jest to bardzo niska wartość, co oznacza, że tranzystor ma niskie straty mocy w stanie przewodzenia.

Rezystancja termiczna złącze-obudowa wynosi 1.1K/W. Jest to istotna wartość, ponieważ wpływa na zdolność tranzystora do odprowadzania ciepła. Im niższa wartość rezystancji termicznej, tym lepsza wydajność termiczna tranzystora.

IRF540 jest montowany w technologii THT (Through-Hole Technology), co oznacza, że jest przeznaczony do montażu na powierzchni obwodu drukowanego za pomocą przewlekanych otworów.

Tranzystor ma ładunek bramki wynoszący 47.3nC. Oznacza to, że trzeba dostarczyć taki ładunek, aby przełączyć tranzystor w pełni.

IRF540 N-Channel MOSFET jest wszechstronnym tranzystorem mocy, który może być stosowany w różnych aplikacjach elektronicznych wymagających wysokich napięć, dużych prądów i dużej mocy.