НОВАЯ ОЗУ SAMSUNG 8 ГБ DDR4/PC4 2400 МГц SODIMM

❇️ NOWE PAMIĘCI RAM RENOMOWANYCH PRODUCENTÓW POCHODZA Z PLASTIKOWYCH ANTYELEKTROSTATYCZNYCH PUDEŁEK/BLISTRÓW DO PRZECHOWYWANIA PAMIĘCI RAM

❇️ PAMIĘĆ RAM DO LAPTOPA (SO-DIMM)

✅8 GB  1Rx8 PC4-2400T  DDR4 / PC4 - 2400 MHz

❇️PAMIĘĆ RAM SPRAWNA W 100%

✅Pamięci pasują do laptopów obsługujących pamięci DDR4 . Współpracują zarówno z procesorami Intel jak i AMD.

⬇️Specyfikacja:

▶️Producent: SAMSUNG

▶️Rodzaj: SO-DIMM

▶️Pojemność: 8 GB

▶️Standard: DDR4 / PC4

▶️Prędkość: 2400 MHz

▶️Klasyfikacja: PC4-2400T

▶️Napięcie: 1.2V

▶️Złącze: 260 piny

▶️Ranga: 1 Rx8

▶️Niebuforowana: Tak

▶️Korekcja błędów: Non-ECC

❇️ PAMIĘĆ RAM RENOMOWANYCH PRODUCENTÓW POCHODZI Z NOWYCH LAPTOPÓW

⏩Zdjęcie jest poglądowe.

☑️ 100% sprawne i przetestowane programowo.

☑️ STAN IDEALNY wizualnie pamięci są idealne. Technicznie w 100% sprawne i przetestowane.

NA INNYCH NASZYCH AUKCJACH KUPISZ:DYSKI SSD , PAMIĘCI RAM ,PROCESORY ORAZ INNE PODZESPOLY DO LAPTOPÓW/PC

ZAPRASZAMY DO ZAKUPÓW

⏩Wszystkie kości zostały sprawdzone programem MemTest86+, który nie wykazał żadnych błędów, dzięki czemu będziesz mógł cieszyć się długą i bezawaryjną pracą!

⏩Memtest86+ to program zaprojektowany do tzw. „stres-testu” – jego zadaniem jest sprawdzenie stabilności podczas maksymalnego obciążenia pamięci operacyjnej RAM oraz wykrycie ewentualnych błędów.

✅Moduły SO-DIMM generacji DDR4 to doskonałe rozwiązanie dla osób, które chcą rozbudować swoje notebooki i komputery przenośne, a przy tym preferują niezawodne i jakościowe rozwiązanie, które dostarczy szybki transfer danych.

✅Przy zamówieniu parzystej liczby sztuk pamięci parowane są w Dual Channel, tak aby moduły w pełni ze sobą kooperowały.

✅Kości współpracują z każdym chipsetem oraz sprzętem wymagającym tego typu pamięci.

❇️Każda pamięć pakowana jest w  woreczki ESD :

• ▶️Ochronne opakowanie elektroniki, układów scalonych itp.
• ▶️Zabezpieczanie podzespołów przed działaniem wilgoci i kurzu
• ▶️Wyposażone w szczelne zamknięcie
• ▶️Odporne na działanie wilgoci i wyładowania elektrostatyczne