ТРАНЗИСТОР IRF4905 P-канальный MOSFET 74A 55V TO220

TRANZYSTOR IRF4905 P-Channel MOSFET 74A 55V TO220

IRF4905 P-Channel MOSFET 74A 55V TO220 TRANZYSTOR

• Producent: Infineon (IRF).
• Typ tranzystora: Jest to tranzystor typu P-MOSFET.
• Polaryzacja: Tranzystor jest polaryzowany unipolarnie, co oznacza, że sterowanie odbywa się za pomocą jednego rodzaju nośnika ładunku.
• Rodzaj tranzystora: Tranzystor należy do rodzaju HEXFET, który jest znaną technologią tranzystorów unipolarnych o wysokiej wydajności.
• Napięcie dren-źródło: Maksymalne napięcie, które tranzystor może obsłużyć między drenem a źródłem, wynosi 55V. Ujemne oznaczenie wskazuje, że przewodzenie zachodzi w kierunku od źródła do drenu.
• Prąd drenu: Maksymalny prąd, który może płynąć przez dren tranzystora, wynosi 74A. Wartość ujemna wskazuje na kierunek przepływu prądu od źródła do drenu.
• Moc: Maksymalna moc, jaką tranzystor może rozpraszać bez przekroczenia dopuszczalnej temperatury, wynosi 200W.
• Obudowa: Tranzystor ma obudowę typu TO220AB. TO220AB to standardowy pakiet obudowy tranzystora, który zapewnia odpowiednie chłodzenie i jest wygodny w montażu.
• Napięcie bramka-źródło: Maksymalne napięcie, które można zastosować między bramką a źródłem tranzystora, wynosi 20V. Przekroczenie tego napięcia może prowadzić do uszkodzenia tranzystora.
• Rezystancja w stanie przewodzenia: Rezystancja tranzystora w stanie przewodzenia wynosi 20mΩ. Jest to opór, jaki tranzystor oferuje dla przepływającego prądu w stanie włączonym.
• Rezystancja termiczna złącze-obudowa: Rezystancja termiczna między złączem a obudową tranzystora wynosi 750mK/W. Jest to parametr związany z efektywnym odprowadzaniem ciepła.
• Montaż: Tranzystor jest przeznaczony do montażu przewlekanego (THT), co oznacza, że jest lutowany na powierzchni płytki drukowanej lub innych przewlekanych elementów.
• Ładunek bramki: Ładunek bramki tranzystora wynosi 120nC. Jest to wartość, która wpływa na czas przełączania się tranzystora.