NAND OC TTL DM7401N DIP14 7401 вентили

Układ scalony cyfrowy SN74S00N DIP14 - 4 dwuwejściowe bramki NAND z wyjściem Otwarty Kolektor , napięcie wyj. 7V, napięcie wej. 5,5V

IC quad 2-input NAND gate with open-collector output 14-DIP

Producent : National Semiconductor

Nowe , NOS.

cena za 1szt

Serie pochodne

Bipolarne:

• L – o małym poborze mocy (ze względu na niską częstotliwość pracy szybko zastąpiona przez LS)
• H – High speed (zastąpiona przez AS)
• S – szybkie bramki z diodami Schottky’ego (zastąpiona przez LS i AS)
• LS – szybkie bramki z diodami Schottky’ego o małym poborze mocy (najważniejsza obecnie seria – wyparła pozostałe)
• AS – Advanced Schottky
• ALS – Advanced Low Power Schottky
• F – Fast (zbliżona szybkością do AS)

BiCMOS – seria CMOS z poziomami na wejściach odpowiadającymi układom bipolarnym:

• BCT – BiCMOS
• ABT – Advanced BiCMOS

CMOS:

• C – jak podstawowa seria 4000
• HC – High speed CMOS, szybkość i obciążalność wyjść zbliżona do serii LS
• HCT – wersja CMOS kompatybilna z układami TTL serii LS
• AC – Advanced CMOS, z parametrami między S a F
• AHC – Advanced High-Speed CMOS, trzykrotnie szybsza od HC
• ALVC – niskonapięciowe, zasilany z zakresu od 1,65 V do 3,3 V, czas propagacji (TPD) 2 ns
• AUC – bardzo niskonapięciowe, zasilany z zakresu od 0,8 V do 2,7 V, czas propagacji (TPD) < 1,9 ns@1,8 V
• FC – Fast CMOS, podobna da F
• G – bardzo szybkie, pracujące przy częstotliwości do 1,125 GHz, napięcie zasilania 1,6–3,6 V
• LCX – CMOS o napięciu zasilania 3 V, toleruje wyższe poziomy napięcia sygnałów do 5 V
• LVC – niskonapięciowe – zasilany z zakresu od 1,65 V do 3,3 V, toleruje wyższe poziomy napięcia sygnałów do 5 V
• LVQ – niskonapięciowe – 3,3 V
• LVX – niskonapięciowe – 3,3 V, toleruje wyższe poziomy napięcia sygnałów do 5 V
• VHC – Very High Speed CMOS

ZOBACZ INNE NASZE AUKCJE

FAKT. VAT 23%