IGBT N-ch IRGP50B60PD1 Silny Tranzyst NPN 600V/75A

Fabrycznie nowy (24 miesiące gwarancji):

IGBT IRGP50B60PD1, 600V/75A - bardzo silny tranzystor NPN!

Przedmiotem niniejszej aukcji jest bardzo silny tranzystor mocy z izolowaną bramką (IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor) NPN: IGBT IRGP50B60PD1, 600V/75A stosowanych w układach wysokiej mocy, sterowanych elektronicznie (np. projektach Arduino i przy zasilaniu wysoko-prądowych aplikacji, jak silników i innych obciążeń).

Budowa i zasada pracy IGBT jest bardzo zbliżona do MOSFET-ów, jednak umożliwia sterowania znacznie wyższymi prądami (nawet do 1kA) i napięciami (blokowanie do 6kV), jednak kosztem niższej częstotliwości przełączania (zwykle do 50kHz) i wyższym wymaganym napięciem na bramce - na szczęście wyższa częstotliwość mało kiedy jest potrzebna, a podniesienie napięcia można łatwo i tanio wykonać w projekcie.

Specyfikacja techniczna:

• Typ tranzystora: IGBT, kanał N (NPN);
• Maksynalne obciążenie Ic: 75A (chwilowe Icm: 150A);
• Maksymalne napięcie wyjściowe Vces: 600V;
• Napięcie wyzwolenia/progrowe Vge(th): 3,0 - 5,0V;
• Maksymalne napięcie wejściowe bramki Vge: +/-20V;
• Czas załączenia/wyłączenia (przy Vge=15V): 30/130ns;
• Maksymalna moc przy 25°C Pd: 390W;
• Rce(on): 0,061 Ohm
• Obudowa: TO247AD (TO3P), 3piny;
• Przewlekany (THT) - pasuje do płytek prototypowych.
• Wymiary (całkowite, z nóżkami): 40x16x5mm,
• Wymiary nóżek: 20x1,2x0,6mm;
• Rozstaw pinów (raster): 5,08 mm;
• Zakres temperatury pracy: od -55°C do 150°C;